《半导体物理与器件 64讲 视频教程》

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 参考书目：Donald A.Neamen，《半导体物理与器件（第四版）》，电子工业出版社

 
 
参考书目：Donald A.Neamen，《半导体物理与器件（第四版）》，电子工业出版社
 
绪论 半导体技术的前世今生1
36:09
绪论 半导体技术的前世今生2
45:07
绪论 半导体技术的前世今生3~第一章 半导体材料
45:09
第一章 半导体材料，固体类型，空间晶格和金刚石结构
44:31
第一章 原子价键，固体中的缺陷和杂质；第二章 量子力学的基本原理
45:11
第二章 薛定谔波动方程及原子波动理论的延伸
42:38
第三章 能带理论1
45:02
第三章 能带理论2，固体中电的传导1
45:02
第三章 固体中电的传导2，三维拓展，状态密度函数1
45:12
第三章 状态密度函数2，统计力学1
45:17
第三章 统计力学2~第四章 半导体中的载流子1
44:23
第四章 半导体中的载流子2，掺杂原子与能级1
44:23
第四章 掺杂原子与能级2，非本征半导体1
45:02
第四章 非本征半导体2，施主和受主的统计学分布，电中性状态，费米能级的位置1
44:55
第四章 费米能级的位置2
36:39
第五章 载流子的漂移运动1
45:33
第五章 载流子的漂移运动2，载流子扩散，杂志梯度分布1
45:06
第五章 杂质梯度分布2，霍尔效应
44:36
第六章 载流子的产生与复合1
45:18
第六章 载流子的产生与复合2，过剩载流子的性质，双极输运过程1
44:37
第六章 双极输运过程2
45:07
第六章 双极输运过程3，准费米能级，过剩载流子的寿命
45:13
第七章 pn结的基本结构，零偏1
43:43
第七章 零偏2，反偏1
45:19
第七章 反偏2，非均匀掺杂pn结；第八章 概述
44:13
第八章 pn结电流1
38:08
第八章 pn结电流2，pn结的小信号模型1
44:29
第八章 pn结的小信号模型1，产生-复合电流与大注入，结击穿1
45:08
第八章 回顾1
34:41
第八章 回顾2，结击穿2
40:14
第八章 结击穿3
43:58
第八章 结击穿4
38:33
第九章 肖特基势垒二极管1
45:44
第九章 肖特基势垒二极管2
45:10
第九章 肖特基势垒二极管3
43:40
第九章 金属-半导体的欧姆接触，半导体异质结1
45:04
第九章 半导体异质结2
37:38
第九章 半导体异质结3；第十二章 双极晶体管的工作原理1
44:29
第十二章 双极晶体管的工作原理2
44:42
第十二章 双极晶体管工作原理3，少子的分布1
44:56
第十二章 少子的分布2
44:51
第十二章 少子的分布3，低频共基极电流增益1
45:20
第十二章 低频共基极电流增益2
44:57
第十二章 非理想效应1
44:56
第十二章 非理想效应2
42:24
第十二章 非理想效应3，混合π型等效电路模型，BJT的频率限制因素1
44:48
第十二章 BJT的频率限制因素2，BJT器件的大信号开关特性1
39:24
第十二章 BJT器件的大信号开关特性2，BJT器件制造技术简介
40:55
第十章 双端MOS结构1
44:03
第十章 双端MOS结构2
45:06
第十章 双端MOS结构3
44:25
第十章 双端MOS结构4
40:33
第十章 电容-电压特性1
43:58
第十章 电容-电压特性2，MOSFET的基本工作原理1
45:04
第十章 MOSFET的基本工作原理2
43:49
第十章 MOSFET的基本工作原理3
45:04
第十章 MOSFET的基本工作原理4
42:35
第十章 MOSFET的基本工作原理5，MOSFET的小信号等效电路和频率限制特性因子
45:01
第十一章 MOSFET按比例缩小理论，非理想效应1
44:41
第十一章 非理想效应2，MOSFET阈值电压的修正
35:16
第十四章 光学吸收1
38:19
第十四章 光学吸收2，太阳能电池，光电探测器
43:11
总复习1
01:05:16
总复习2
01:04:38
半导体物理基础
15:49:17
半导体物理基础
 

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