《2023 带ppt 集成电路制造技术与工艺实践 西电 98讲 视频教程》

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1
绪论
1.1
绪论教学设计
1.2
集成电路技术发展历史
1.3
中国集成电路发展历程
1.4
摩尔定律
1.5
集成电路产业链
1.6
绪论测验
2
硅单晶与硅片制备
2.1
教学设计
2.2
半导体硅的重要性
2.3
多晶硅的制备
2.4
Si单晶的制备
2.5
硅片的制备
2.6
本章测验
3
氧化
3.1
教学设计
3.2
热氧化的种类及应用
3.3
硅的热氧化生长过程分析
3.4
迪尔-格罗夫氧化动力学分析
3.5
热氧化生长速率
3.6
影响氧化速率的决定性因素
3.7
影响氧化速率的其他因素
3.8
热氧化过程中的杂质再分布
3.9
快速初始氧化阶段
3.10
氧化测验
4
扩散
4.1
教学设计
4.2
扩散的基本概念
4.3
扩散系数和扩散方程
4.4
扩散杂质浓度分布
4.5
二维扩散和扩散的局限性
4.6
扩散工艺
5
离子注入
5.1
教学设计
5.2
离子注入基本概念
5.3
离子注入机理
5.4
离子注入分布
5.5
沟道效应
5.6
离子注入损伤
5.7
离子注入退火
5.8
快速热退火
5.9
离子注入应用
5.10
扩散与离子注入测验
6
物理气相淀积
6.1
教学设计
6.2
薄膜制备基本概念
6.3
真空蒸发基本概念
6.4
真空蒸发方式
6.5
真空蒸发应用及局限性
6.6
溅射基本概念
6.7
溅射方法
7
化学气相淀积
7.1
教学设计
7.2
CVD基本概念与应用
7.3
CVD的基本过程
7.4
化学气相淀积动力学分析
7.5
影响淀积速率的因素
7.6
CVD系统
7.7
CVD多晶硅与金属
7.8
CVD二氧化硅
7.9
CVD氮化硅
8
外延工艺
8.1
教学设计
8.2
外延的基本概念
8.3
外延生长模型
8.4
外延生长的影响因素
8.5
外延层杂质分布
8.6
先进的外延技术
8.7
PVD+CVD+外延测验
9
光刻工艺
9.1
教学设计
9.2
光刻工艺重要性与光刻三要素
9.3
光刻工艺流程（上）
9.4
光刻工艺流程（下）
9.5
光刻分辨率
9.6
光刻胶
9.7
光刻版
9.8
光刻机
9.9
曝光光源
9.10
光刻测验
10
刻蚀
10.1
教学设计
10.2
刻蚀参数
10.3
湿法刻蚀
10.4
干法刻蚀
10.5
干法刻蚀的应用
11
金属化
11.1
教学设计
11.2
典型金属化材料及应用
11.3
金属铝的性质与铝互连
11.4
铜互连工艺的关键
11.5
多层互连与平坦化技术
12
工艺集成与工艺流程
12.1
教学设计
12.2
集成电路中的隔离
12.3
Si CMOS IC的阱工艺及工艺流程
12.4
标准埋层双极集成电路技术与工艺流程
12.5
Si CMO IC工艺技术特征与发展
12.6
现代Si CMOS IC工艺流程（一）
12.7
现代Si CMOS IC工艺流程（二）
12.8
现代Si CMOS IC工艺流程（三）
12.9
工艺集成测验
13
工艺仿真与工艺设计虚拟实践教学
13.1
教学设计课件及软件教程
13.2
单项工艺虚拟仿真
13.2.1
热氧化鸟嘴效应
13.2.2
扩散的预淀积工艺
13.2.3
离子注入沟道效应防止方法
13.2.4
CVD工艺
13.2.5
外延工艺
13.2.6
光刻工艺
13.2.7
刻蚀工艺
13.2.8
CMP工艺
13.3
GaN LED工艺制造与光电特性虚拟仿真实验
13.4
晶体管制造工艺设计
14
案例教学-高应力氮化硅致应变SOI技术
14.1
教学设计、课件
14.2
课堂教学录像
15
专题研讨-延续摩尔定律的创新工艺技术
15.1
教学设计、课件
15.2
课堂教学录像
16
翻转课堂-课程论文答辩
16.1
课程论文设计
16.2
课程论文答辩
17
课程总结
17.1
ppt课件
17.2
课堂教学录像
18
课程考核
18.1
课程考核成绩组成
18.2
平时作业
18.3
随堂测试
18.4
课堂讨论
18.5
课程论文暨翻转课堂
18.6
工艺仿真与工艺设计实践
18.7
期末考试
18.8
课程成绩
工艺虚拟仿真实验题目 实验报告
 

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