《2022 带课件 认识实习 东北大学 110讲 视频教程》

这门课程价格：13元 ★★★本站引入ai智能pdf转ppt功能，课程标题上，标带课件，这种是pdf课件，可免费提供pdf转PPT，转完后可以编辑修改，精准度很高

★★★课程标题带ppt的，这是原始ppt ，可以直接编辑使用

★★★什么都不标的，就是纯视频，学校没给课件

★★★重磅！！！自学社 技术升级，所有学校没提供课件的视频，现在都可以提取ppt （word或者excle），排版和原视频一样，汉字、字母、符号、等等可以编辑，方便老师和同学们整理内容，此服务是单独收费，1-30个视频课程加20元，31-60个视频35元，量大优惠. 也可以来视频帮忙提取。

-->-->-->★如果网站里没有您要的课程，加微信可以单独给您找
-->-->-->★诚信经营16年，有任何需求可以加微信沟通

课程大小：1.30G
课程格式：手机平板电脑都可以播放 
！！加微信 83162582 有特价！！
客服电话： 18947115243（唯一）
自学社社长：点击这里给我发消息83162582
客服qq：点击这里给我发消息125212385
淘宝客服：点我咨询自学天堂

★★★16年淘宝双皇冠99.9%好评店:http://shop57589855.taobao.com/★  
  • -->-->-->说明：试看 课程 加微.信125212385 或者1418144 直接搜索数字就可以，加微.信都是特价
  • -->-->-->说明：试看 课程 加微.信125212385 或者1418144 直接搜索数字就可以，加微.信都是特价

视频介绍 [复制本页地址介绍给朋友~]

 大纲

第一讲 介绍绪论与第1章 硅片的制备
 
绪论：1、 微电子工艺是讲什么的？
 
2、 微电子工艺的发展历程如何？
 
3、 微电子工艺有什么特点？
 
4、半导体单晶硅有什么特性？
 
第1章 硅片的制备
 
1.1多晶硅制备；1.2单晶生长-CZ法
 
1.2单晶生长-机理
 
1.2单晶生长-掺杂
 
1.2单晶生长-MCZ与FZ法
 
1.3硅片制备
 
 
第二讲 介绍第2章 外延，包括：外延概述、汽相外延、分子束外延、其它外延、外延层缺陷及检测共五节内容
 
2.1 外延概述
 
2.2 汽相外延
 
2.3 分子束外延
 
2.4 其它外延方法
 
2.5 外延层缺陷及检测
 
第三讲，介绍第3章 热氧化，包括：SiO2薄膜概述、硅的热氧化、初始氧化阶段及薄氧化层制备等6节内容
 
3.1 二氧化硅薄膜概述
 
3.2  硅的热氧化
 
3.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备
 
3.4 热氧化过程中的杂质再分布
 
3.5 氧化层的质量及检测
 
3.6 其它氧化方法
 
第四讲 介绍第4章 扩散，包括：扩散机构、晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程、杂质的扩散掺杂等共7节内容。
 
4.1 扩散机构
 
4.2 晶体中扩散的基本特点及宏观动力学方程
 
4.3 杂质的扩散掺杂
 
4.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素
 
4.5 扩散工艺条件与方法
 
4.6 扩散工艺质量与检测
 
4.7 扩散工艺的发展
 
 
第五讲 介绍第5章 离子注入，包括：离子注入原理、注入离子在靶中的分布、注入损伤等，共八节内容
 
5.1 概述
 
5.2 离子注入原理
 
5.3 注入离子在靶中的分布
 
5.4 注入损伤
 
5.5 退火
 
5.6 离子注入设备与工艺
 
5.7 离子注入的其它应用
 
5.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术
 
 
第六讲，介绍第6章 化学汽相淀积，包括：CVD概述，CVD工艺原理、方法，二氧化硅薄膜淀积等共七节内容。
 
6.1 CVD概述
 
6.2 CVD工艺原理
 
6.3 CVD工艺方法
 
6.4 二氧化硅薄膜的淀积
 
6.5 氮化硅薄膜淀积
 
6.6 多晶硅薄膜的淀积
 
6.7 CVD金属及金属化合物薄膜
 
 
第七讲 介绍第7章物理汽相淀积，包括PVD概述、真空系统及真空的获得、真空镀铝等五节内容
 
7.1 PVD概述
 
7.2 真空系统及真空的获得
 
7.3 真空蒸镀
 
7.4 溅射
 
7.5 PVD金属及化合物薄膜
 
 
第八讲 介绍第8章  光刻工艺，包括光刻概述，光刻工艺流程以及光刻技术等8节内容。
 
8.2 基本光刻工艺流程
 
8.3  光刻掩膜板制造技术
 
8.4 光刻胶
 
8.5 紫外曝光技术
 
8.6 光刻增强技术
 
8.7 其它曝光技术
 
8.8 光刻新技术展望
 
8.1  光刻概述
 
 
第九讲 介绍第九章 刻蚀技术 包括：刻蚀技术概述、湿法刻蚀技术、干法刻蚀技术及常用薄膜的刻蚀等共5节内容。
 
9.1  刻蚀技术--概述
 
9.2 刻蚀技术 -- 湿法刻蚀技术
 
9.3 刻蚀技术--  干法刻蚀技术
 
9.4  SiO2薄膜的干法刻蚀技术
 
9.5  刻蚀技术--  多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
 
 
第十讲  介绍典型工艺集成，包括金属化、隔离技术，以及CMOS电路、双极型电路工艺。
 
10.1--1  工艺集成--金属化与多层互连
 
10.1--2 工艺集成--金属化与多层互连--尖楔现象
 
10.2  工艺集成--集成电路中的隔离技术
 
10.3 CMOS集成电路的工艺集成
 
10.4 双极型集成电路的工艺集成

您可能还需要如下课程

自学社 蒙ICP备09002309号 Power by: 自学社
Please change your screen resolutidn to1024×768 Total ,
Copyright © 2009-20010 自学社 (www.zxshe.com). all Rights Reserved.
top