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《2022 半导体材料 浙大 83讲 视频教程》
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视频介绍 [复制本页地址介绍给朋友~]
大纲
01
半导体材料概论
1.1 半导体材料的研究和应用（上）
1.2 半导体材料的研究和应用（下）
1.3 半导体材料和分类
1.4 半导体材料电学特征
1.5 半导体材料结构特性
1.6 中国半导体材料产业
1.7半导体材料展望
02
晶体生长原理
2.1 半导体晶体材料
2.2 晶体生长的热力学理论（上）
2.3 晶体生长的热力学理论（中）
2.4 晶体生长的热力学理论（下）
2.5 晶体生长的动力学理论
2.6 晶体的外形
03
晶体生长技术
3.1 熔体生长晶体技术（一）
3.2 熔体生长晶体技术（二）
3.3 溶液生长晶体技术
3.4 气相生长晶体技术
3.5 固相生长晶体技术
04
元素半导体硅的基本性质
4.1 硅的基本性质
4.2 硅的结构性质
4.3 硅的电学性质
4.4 硅的化学性质
4.5 硅的光学性质
4.6 硅的力学性质
4.7 硅的热学性质
4.8 硅晶体能带结构
4.9 硅的常见形式
05
元素半导体硅和锗的化学提纯
5.1 金属硅的制备
5.2 半导体级高纯多晶硅的制备
5.3 太阳能级多晶硅的物理冶金制备
5.4 半导体级高纯多晶锗的制备
06
区熔原理和区熔硅
6.1 分凝
6.2 区熔的原理
6.3 区熔硅单晶
07
直拉提纯和直拉硅单晶
7.1 直拉硅单晶
7.2 直拉硅单晶生长的基本工艺（上）
7.3 直拉硅单晶生长的基本工艺（下）
7.4 单晶生长的主要影响因素
7.5 新型直拉硅单晶生长工艺
7.6 直拉硅单晶的加工
08
硅单晶的掺杂和缺陷
8.1 直拉硅单晶的掺杂技术
8.2 直拉硅单晶的掺杂浓度
8.3 直拉硅单晶的轻元素杂质
8.4 直拉硅中金属杂质
8.5 直拉硅单晶的缺陷
09
硅薄膜材料
9.1 单晶硅薄膜材料（上）
9.2 单晶硅薄膜材料（下）
9.3 绝缘体上的单晶硅薄膜SOI
9.4 非晶硅薄膜材料（上）
9.5 非晶硅薄膜材料（下）
9.6 多晶硅薄膜材料
9.7 浙江大学硅材料研究
10
III-V化合物
10.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质
10.2 GaAs半导体材料
10.3 其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
11
新型半导体材料GaN
11.1 GaN的基本性质（上）
11.2 GaN的基本性质（下）
11.3 GaN的晶体结构和能带
11.4 GaN体单晶的制备
11.5 GaN薄膜单晶的制备
11.6 GaN薄膜单晶的掺杂
12
II-VI化合物材料
12.1 II-ⅤI族化合物半导体的性质
12.2 II-VI族化合物半导体的制备
12.3 CdTe半导体材料
12.4 II-VI族多元化合物材料
13
新型半导体材料ZnO
13.1 ZnO的基本性质
13.2 ZnO的体单晶的制备
13.3 ZnO的薄膜单晶的制备
13.4 ZnO的单晶的掺杂
14
新型半导体材料SiC
14.1 SiC基本性质
14.2 SiC晶体结构和能带
14.3 SiC体单晶的制备
14.4 SiC薄膜单晶的制备
14.5 SiC单晶的掺杂
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