《2024 半导体器件物理II 西安电子科技大学 48讲 视频教程》

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 视频选集

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自动连播
01绪论1
44:05
02绪论2
38:42
03双端MOS结构的岁外栅压的电荷能带变化
46:30
04双端MOS结构的反型状态特点
40:51
05双端MOS结构的耗尽层
47:36
06双端MOS结构的金属和半导体的功函数差
38:49
07双端MOS结构的平带电压
43:24
08双端MOS结构的阀值电压
45:01
09MOS电容的理想CV特性
26:00
10MOS电容CV曲线的频率特性和非理想特性
40:22
11MOSFET的基本结构和分类
45:56
12MOSFET的基本工作原理
39:03
13金属氧化物半导体场效应晶体管基础1
53:16
14金属氧化物半导体场效应晶体管基础2
32:59
15MOSFET的漏电导和衬底偏置效应
48:10
16MOSFET的频率特性
37:39
17MOSFET的开关特性1
52:41
18MOSFET的开关特性2
37:42
19MOSFET的温度特性和噪声特性
48:03
20MOSFET的版图和器件设计
39:11
21MOSFET的亚阀值特性
47:31
22MOSFET的沟道长度调制效应
39:53
23MOSFET的迁移率受垂直电场的影响
44:13
24MOSFET的速度饱和特性
43:42
25阀值电压随沟长和沟宽的变化
49:20
26阀值电压的离子注入调整技术
36:58
27MOSFET的击穿特性
48:07
28LDD结构的MOSFET
39:10
29MOSFET概念深入1
50:42
30MOSFET概念深入2
37:52
31MOSFET概念深入3
43:59
32MOSFET概念深入4
46:35
33结型场效应器件1
43:50
34结型场效应器件2
46:21
35结型场效应器件3
48:56
36结型场效应器件4
40:58
37结型场效应器件5
51:23
38结型场效应器件6
39:57
39结型场效应器件7
50:06
40结型场效应器件8
40:03
41结型场效应器件9
45:53
42结型场效应器件10
45:10
43结型场效应器件11
48:29
44结型场效应器件12
42:57
45结型场效应器件13
47:38
46结型场效应器件14
41:04
47结型场效应器件15
01:03:07
48结型场效应器件16 

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