《半导体物理与器件 西安邮电大学吕淑媛 108讲 视频教程》

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视频介绍 [复制本页地址介绍给朋友~]

  

1.1.1 什么是半导体和半导体材料0
13:40
1.1.2固体晶格——如何描述晶体的周期性
16:35
1.1.2固体晶格——立方晶系
09:32
1.1.2固体晶格——晶面和晶向
15:17
1.1.3金刚石结构
15:34
1.1.4晶体中的杂质和缺陷
07:57
1.2.1量子力学初步——能量量子化
13:47
1.2.1量子力学基本原理-波粒二象性和不确定原理
12:49
1.2.2-薛定谔方程
13:28
1.2.3 薛定谔方程应用-自由电子和一维无限深势阱中电子
21:02
1.2.4和1.2.5 薛定谔方程应用——单电子原子和多电子原子
12:05
1.3.1能带的定性解释
23:09
1.3.2能带的定量解释
27:58
1.3.3 半导体的价键模型和能带模型(含1.3.6）
18:17
1.3.4有效质量
22:01
1.3.5空穴
17:38
1.3.7三维晶体的能带图
11:52
第二章研究思路
09:48
2.1状态密度函数
24:35
2.2费米狄拉克函数
18:03
2.2麦克斯韦-玻尔兹曼近似
07:12
2.3图示法求解平衡载流子浓度
13:49
2.3.1平衡载流子浓度公式推导
11:18
2.3.2-2.3.4本征载流子浓度和本征费米能级
16:54
2.4.1施主杂质和受主杂质
26:45
2.4.1杂质补偿及杂质电离能
10:53
2.4.2施主能级上的电子和受主能级上的空穴
05:36
2.4.3只含一种施主杂质的n型半导体载流子浓度的计算
27:12
2.4.3只含一种受主杂质的p型半导体和2.5补偿半导体的载流子浓度的计算
08:59
2.6费米能级位置
24:45
2.7简并半导体
13:45
3.1载流子的热运动
15:56
3.2.1载流子的漂移运动
13:14
3.2.2饱和速度和强场迁移率
07:54
3.2.2散射和迁移率
27:43
3.2.3半导体的电阻率
25:21
3.3载流子的扩散运动
06:09
3.4爱因斯坦关系
23:18
第四章简述及过剩载流子定义
09:51
4.1载流子产生与复合
11:45
4.1.4过剩载流子随时间的变化
24:51
4.2准费米能级
08:06
4.3连续性方程
12:01
4.4双极输运方程
19:46
4.4.4双极输运方程求解实例1
13:04
4.4.4双极输运方程求解实例2
26:50
第五章概述
09:50
5.1pn结的两种典型制作方法及杂质分布
10:59
5.2.1平衡pn结的定性分析
13:48
5.2.2平衡pn结的能带图
09:48
5.3平衡pn结静电特性——内建电势差和内建电场
16:51
5.3平衡pn结静电特性——内建电势和势垒区宽度
13:47
5.4.1pn结电流-电压特性推导的准备工作边界条件和静电特性的推广
18:34
5.4.2pn结电流电压特性的定性分析
08:46
5.4.3理想on结电流电压方程分析之pn结电流
17:47
5.4.3理想on结电流电压方程分析之单向导电性和载流子分布
24:34
5.4.3理想on结电流电压方程分析之温度和材料的影响
08:56
5.4.3理想pn结电流-电压关系的推导
14:16
5.4.3理想pn结及推导pn结电流-电压特性方程的步骤
12:15
5.4.4理想pn结电流-电压关系修正之反偏产生电流和正偏复合电流
10:23
5.4.4理想pn结电流-电压关系修正之击穿
16:25
5.5.1pn结小信号模型之反向偏压
20:03
5.5.2pn结小信号模型之正向偏压
23:22
5.6pn结二极管开关的瞬态响应
09:49
5.7隧道二极管
10:44
5.8pn结光电器件应用之发光二极管
10:21
5.8pn结光电器件应用之光电检测器
29:29
5.8pn结光电器件应用之太阳能电池
14:54
第一章四个习题
17:10
第二章习题
26:55
第三章习题
14:50
第四五章习题
32:21
金属半导体接触-整流接触
22:56
金属半导体接触-欧姆接触
10:40
具有表面态的实际金属半导体接触
13:53
金属半导体接触的静电特性
06:11
金属半导体接触电流电压特性
20:38
镜像力的影响
03:55
肖特基二极管及再论欧姆接触
19:54
第八章1双极晶体管基本情况
36:04
双极晶体管的电流增益和电流电压特性
49:52
理想晶体管输入输出特性曲线
21:31
实际晶体管发生的变化
46:31
实际晶体管的输入输出特性曲线2
10:18
晶体管的反向特性
19:29
晶体管的穿通
13:12
晶体管的EM模型
22:19
晶体管的h参数等效电路
29:26
晶体管放大系数的频率特性
28:49
晶体管的开关特性
33:22
晶体管的开关时间
22:05
表面及表面能级
18:12
半导体表面的空间电荷层的定性分析
26:53
半导体表面空间电荷层的定量求解
17:12
表面空间层的5种状态
21:32
理想MOS结构的C-V曲线
20:16
理想MOS结构高频时的C-V曲线
09:54
实际MOS结构的C-V特性曲线
27:27
MOSFET的基本情况
17:35
MOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线
14:04
MOSFET的输出特性曲线和转移特性曲线(续）
13:44
栅压和源漏电压共同作用下的MOSFET的能带图
29:43
源漏电流和源漏电压定量关系的推导
29:38
源漏电流和源漏电压函数关系与输出特性曲线的对照
07:15
MOSFET的直流特性参数
14:55
衬底偏置效应及其对阈值电压的影响
26:30
MOSFET的直流特性参数（续）
09:58
MOSFET的低频小信号等效电路 

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